國元創(chuàng)投秉持“價值投資”理念，緊跟國家戰(zhàn)略步伐，重點關注主流賽道，圍繞核心技術(shù)國產(chǎn)替代的大邏輯，積極布局第三代半導體，挖掘優(yōu)質(zhì)企業(yè)。

8月26日，國元創(chuàng)投投資的企業(yè)——安徽格恩半導體有限公司在六安舉辦氮化鎵激光芯片產(chǎn)品發(fā)布會并取得圓滿成功。本次會議發(fā)布了十多款令人期待的氮化鎵激光芯片產(chǎn)品，包括藍光、綠光及紫光等系列，這些產(chǎn)品的關鍵性能指標已達到國外同類產(chǎn)品的先進水平，充分展示了格恩半導體在氮化鎵激光芯片領域的超強技術(shù)實力和國內(nèi)領先地位。本次發(fā)布會標志著格恩半導體已成為國內(nèi)可以規(guī)模量產(chǎn)氮化鎵激光芯片的企業(yè)。

本次發(fā)布會受到了行業(yè)內(nèi)外的高度重視，中國科學院院士、南昌大學副校長江風益，俄羅斯工程院外籍院士、國際信息顯示學會執(zhí)委會委員兼秘書長、福州大學特聘教授、博導嚴群，國家科技部高新技術(shù)司原調(diào)研員曹學軍，中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長阮軍，安徽省光電子科學與技術(shù)重點實驗室副主任、中國科學技術(shù)大學教授、合肥全色光顯科技股份有限公司董事長許立新等專家學者；安徽省科技廳副廳長李國陽，安徽省經(jīng)信廳副廳長王燈明，市、區(qū)領導潘東旭、霍紹斌、林松、張運、王煥成及省直、市直、區(qū)直有關單位主要負責人；安徽格恩半導體有限公司董事長闞宏柱、總經(jīng)理李水清及近百位客戶代表共200余人出席產(chǎn)品發(fā)布會，共同見證國內(nèi)氮化鎵激光芯片領域這一重要時刻。

格恩半導體自成立起，集中優(yōu)勢資源力量，攻克了一系列技術(shù)難點，解決了氮化鎵激光芯片“卡脖子”問題， 目前，格恩半導體已具備覆蓋氮化鎵激光器結(jié)構(gòu)設計、外延生長、芯片制造、封裝測試全系列工程技術(shù)能力和量產(chǎn)制造能力，擁有國際領先的半導體研發(fā)與量產(chǎn)設備500余臺，以及業(yè)內(nèi)領先的產(chǎn)品研發(fā)平臺和自動化生產(chǎn)線。

本次發(fā)布會的舉辦，意味著我國在氮化鎵激光芯片領域已真正實現(xiàn)突破，打破了被國外企業(yè)長期壟斷的局面，填補了國內(nèi)氮化鎵激光芯片產(chǎn)業(yè)化空白，在我國半導體激光器的發(fā)展史上具有里程碑的意義。